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前道晶圆制造
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MatrixSemi 6200
无图案晶圆缺陷检测第三代半导体化合物衬底/外延片检测

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针对SiC、GaN等第三代半导体材料的衬底和外延片缺陷而设计研发的检测设备

满足半导体衬底及外延片缺陷检测需求,兼容多种衬底材料:Si、SiC 、GaN 、 Al₂O₃ 、ZnO、GaAs、InP等

能够对三角、坑点、微管、胡萝卜、堆垛层错、基面错位、台阶聚集等缺陷进行检测和分类

能够对颗粒、凹坑、凸起、划伤、污点、裂纹、PL黑点、PL划痕、PL晶界等缺陷进行检测和分类

支持2吋、4吋、6吋、8吋晶圆检测,高产能、高灵敏度

应用工艺
· 入场晶圆质量控制(IQC)
· 晶圆清洗工艺控制
· 出厂晶圆质量控制(OQC)
· 外延工艺控制
· CMP(化学机械抛光工艺)/抛光工艺控制
产品规格
检测能力*
支持产品 2吋、 4吋 、6吋、8吋晶圆衬底及外延片;
产品厚度 350um-1500um
检测技术 多通道检测技术,包含:明场/暗场结合、差分干涉检测、相位检测、光致发光检测
产率 25WPH@6";>50WPH@4"
检测功能*
主要检测SiC/GaN 等化合物半导体衬底及外延片的表面及内部缺陷
缺陷类型 微管、堆垛层错、基面错位、三角、坑点、胡萝卜
台阶聚集
颗粒、凹坑、凸起、划伤、污点、裂纹、PL 黑点、PL 划痕
PL晶界等缺陷

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